Samsung V-NAND: когда флеш-память нового поколения станет массовой? Печать
Новости науки
19.02.2014
Компания Samsung рассказала о достижениях в разработке флеш-памяти следующего поколения 3D Vertical NAND (или V-NAND), особенностью которой является трёхмерная структура.

Флеш-память 3D Vertical NAND (фото Samsung).


О носителях информации V-NAND мы однажды уже говорили. Коротко напомним: новая технология предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить объёмную структуру микрочипа — а значит, серьёзно увеличить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными планарными изделиями улучшена в 2–10 раз за счёт использования методики 3D Charge Trap Flash (память с ловушкой заряда), которая значительно уменьшает уровень электромагнитного шума в кристалле при передаче информации.

Характеристики чипов Samsung V-NAND (здесь и ниже изображения Tech-On!).


На проходившей недавно конференции по твердотельным схемам ISSCC 2014 в Сан-Франциско (Калифорния, США) Samsung показала чипы V-NAND ёмкостью 128 Гбит. В этих решениях используется 24 слоя ячеек памяти. Площадь чипа равна 133 мм², а плотность хранения данных достигает 0,96 Гбит/мм².

Сравнение планарной и трёхмерной флеш-памяти.


Однако говорить о том, что память V-NAND в ближайшее время станет массовой, рано. Дело в том, что стоимость производства подобных изделий пока превосходит цену обычных планарных флеш-микрочипов той же ёмкости. Связано это с особенностями техпроцесса, предусматривающего, в частности, применение «проприетарной технологии вертикальных связей».

Сравнение корпоративных SSD-накопителей на флеш-памяти разного типа.


Представленные 24-слойные чипы V-NAND — это, по сути, решения первого поколения в своей категории. По заявлениям Samsung, их использование в твердотельных накопителях корпоративного класса обеспечит количество циклов перезаписи на уровне 35 тыс. и пропускную способность в режиме записи до 36 Мб/с. В случае встраиваемых приложений число циклов перезаписи может достигать 3 000 при скорости записи до 50 Мб/с.

Этапы развития флеш-памяти.


В любом случае битва между планарной и трёхмерной флеш-памятью только начинается. В Samsung рассчитывают, что многослойные чипы V-NAND ёмкостью 1 Тбит появятся не ранее 2017 года, а может, и позднее. И только память V-NAND второго или третьего поколения сможет соперничать с планарными изделиями по стоимости производства. Такие продукты, по всей видимости, появятся через два–три года.

Подготовлено по материалам Tech-On!.

Источник - http://compulenta.computerra.ru/tehnika/microelectronics/10011567/