Версия для слабовидящих
Samsung V-NAND: когда флеш-память нового поколения станет массовой? Печать Email
Новости науки
19.02.2014
Компания Samsung рассказала о достижениях в разработке флеш-памяти следующего поколения 3D Vertical NAND (или V-NAND), особенностью которой является трёхмерная структура.

Флеш-память 3D Vertical NAND (фото Samsung).


О носителях информации V-NAND мы однажды уже говорили. Коротко напомним: новая технология предусматривает компоновку кристаллов флеш-памяти по вертикали: это позволяет получить объёмную структуру микрочипа — а значит, серьёзно увеличить количество хранимой информации на единицу площади. Надёжность хранения данных по сравнению с обычными планарными изделиями улучшена в 2–10 раз за счёт использования методики 3D Charge Trap Flash (память с ловушкой заряда), которая значительно уменьшает уровень электромагнитного шума в кристалле при передаче информации.

Характеристики чипов Samsung V-NAND (здесь и ниже изображения Tech-On!).


На проходившей недавно конференции по твердотельным схемам ISSCC 2014 в Сан-Франциско (Калифорния, США) Samsung показала чипы V-NAND ёмкостью 128 Гбит. В этих решениях используется 24 слоя ячеек памяти. Площадь чипа равна 133 мм², а плотность хранения данных достигает 0,96 Гбит/мм².

Сравнение планарной и трёхмерной флеш-памяти.


Однако говорить о том, что память V-NAND в ближайшее время станет массовой, рано. Дело в том, что стоимость производства подобных изделий пока превосходит цену обычных планарных флеш-микрочипов той же ёмкости. Связано это с особенностями техпроцесса, предусматривающего, в частности, применение «проприетарной технологии вертикальных связей».

Сравнение корпоративных SSD-накопителей на флеш-памяти разного типа.


Представленные 24-слойные чипы V-NAND — это, по сути, решения первого поколения в своей категории. По заявлениям Samsung, их использование в твердотельных накопителях корпоративного класса обеспечит количество циклов перезаписи на уровне 35 тыс. и пропускную способность в режиме записи до 36 Мб/с. В случае встраиваемых приложений число циклов перезаписи может достигать 3 000 при скорости записи до 50 Мб/с.

Этапы развития флеш-памяти.


В любом случае битва между планарной и трёхмерной флеш-памятью только начинается. В Samsung рассчитывают, что многослойные чипы V-NAND ёмкостью 1 Тбит появятся не ранее 2017 года, а может, и позднее. И только память V-NAND второго или третьего поколения сможет соперничать с планарными изделиями по стоимости производства. Такие продукты, по всей видимости, появятся через два–три года.

Подготовлено по материалам Tech-On!.

Источник - http://compulenta.computerra.ru/tehnika/microelectronics/10011567/

 

Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта