Версия для слабовидящих
Создан первый полупроводниковый диод, изготовленный из двух материалов одноатомной толщины Печать Email
Новости об инновациях
03.11.2013

Ученые и инженеры Северо-Западного университета смогли сделать очередной большой шаг вперед в деле интеграции одноатомных материалов разного типа в единое целое для производства наноразмерной электроники.

Уровень миниатюризации современной электроники постепенно и неуклонно приближается к уровню отдельных молекул и атомов, обещая появление в скором будущем малогабаритных вычислительных систем, обладающих огромной вычислительной мощностью, и потребительских электронных устройств, способных выполнять богатый набор функций, которые еще несколько лет назад могли считаться чем-то из разряда научной фантастики. Все это становится возможным благодаря созданию и исследованиям свойств материалов одноатомной толщины, среди которых самыми известными являются углеродные нанотрубки, графен и дисульфид молибдена (молибденит). Но при попытке использования этих материалов в практических целях люди сталкиваются с проблемой, которая очень тяжело решается на сегодняшний день, с проблемой объединения разнотипных материалов в единую структуру и обеспечения надежного электрического контакта между ними.

Исследователям Северо-Западного университета удалось сделать значительный шаг в деле интеграции одноатомных материалов разного типа в единое целое, что можно будет с успехом использовать в производстве наноразмерной электроники. Ученые, объединив малую часть пленки дисульфида молибдена с углеродной нанотрубкой, получили p-n переход, состоящий из двух типов полупроводникового материала.

Этот p-n переход является полупроводниковым диодом, одним из основных компонентов современной электроники, только за счет использования в его конструкции материалов одноатомной толщины, этот диод обладает уникальными электрическими характеристиками, которые совершенно не свойственны обычным кремниевым диодам.

«P-n переход, т.е. полупроводниковый диод, используется практически во всех чипах, выпускаемых промышленностью на сегодняшний день» – пишут исследователи в статье, опубликованной в журнале Proceedings американской Национальной Академии Наук, – «При создании нового типа полупроводникового диода, изготовленного из материалов одноатомной толщины, мы не только добились успеха в создании самого диода, нам удалось создать электронный прибор, электрическими характеристиками которого можно управлять с помощью внешних сигналов. Мы ожидаем, что такие особенности нового полупроводникового прибора позволят значительно расширить функциональность электроники в целом».

Следует заметить, что

стремление к миниатюризации обусловило повышенный интерес со стороны ученых к материалам одноатомной толщины. Различные группы исследователей уже добились достаточно значимых успехов в создании высокоэффективных и ультратонких электронных приборов из нескольких видов «плоских» материалов.

Но как это ни парадоксально, у ученых получалось разработка сложных электронных приборов, уровня транзистора и выше, а вот обычный диод, состоящий всего из одного p-n перехода, им сделать не удавалось.

Благодаря разработке диода из материалов одноатомной толщины в «тонкопленочную» сторону могут пойти технологии изготовления солнечных батарей, светодиодов, оптических датчиков и лазеров, каждая из которых получит из этого свои преимущества. В дополнение к его расширенной электронной функциональности новый диод весьма чувствителен к свету. Это его свойство позволило исследователям изготовить и продемонстрировать работу ультраскоростного светочувствительного датчика, который может быть настроен на определенную длину волны света с помощью внешнего электронного управления.

Источник - http://www.nanonewsnet.ru/news/2013/sozdan-pervyi-poluprovodnikovyi-diod-izgotovlennyi-iz-dvukh-materialov-odnoatomnoi-tolshch

 

Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта