Версия для слабовидящих
IBM Research вместе с партнерами представили первый 7-нанометровый тестовый чип нового поколения Печать Email
Новости об инновациях
14.07.2015

Исследователи IBM (NYSE: IBM) объявили о важном достижении в области разработки новейшей полупроводниковой продукции и представили первый тестовый чип, выполненный по 7-нанометрововй технологии с функциональными транзисторами. Новый чип разработан IBM в сотрудничестве с GLOBALFOUNDRIES, Samsung и STMicroelectronics на территории Центра исследования нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. Технология позволит размещать на одном чипе размером с человеческий ноготь до 20 млрд транзисторов и использовать их во множестве разных устройств: от смартфонов до космических кораблей.

Для создания чипа по 7-нанометровой технологии с более высокими показателями производительности, низким энергопотреблением и улучшенным масштабированием исследователям IBM пришлось отказаться от традиционных методов производства полупроводниковой техники. Разработка наночипа потребовала использования ряда передовых инноваций, например, кремний-германиевых (SiGe) канальных транзисторов и многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ) литографии, которые были впервые применены исследовательским центром IBM Research совместно с партнерами.

Эксперты полупроводниковой промышленности считают создание и внедрение нового поколения чипов, выполненных по 7-нанометровой технологии, обязательным условием развития будущих систем облачных и когнитивных вычислений, обработки больших данных, мобильных решений и других передовых технологий. Новые наночипы стали результатом $3 млрд инвестиций, объявленных IBM в 2014 году, которые в течение пяти лет компания планирует вложить в научные исследования и разработку чипов. Данное открытие стало также возможным благодаря уникальному партнерству IBM и правительства штата Нью-Йорк, а также производственному альянсу, в который вошли IBM, GLOBALFOUNDRIES, Samsung, STMicroelectronics и другие поставщики оборудования. Команда исследователей работала на территории Центра нанотехнологий Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк в Олбани.

«Преимущества, которые можно получить при использовании 7-нм или более инновационных технологических процессов производства чипов для будущих моделей компьютеров и других электронных устройств, крайне важны для бизнеса и общества, – комментирует Арвид Кришна, старший вице-президент и руководитель IBM Research. – Именно поэтому компания IBM продолжает придерживаться принципа динамичных базовых исследований, что позволяет ей постоянно раздвигать границы возможного в сфере полупроводниковых технологий. Такое достижение стало возможным благодаря совместной работе с партнерами и десятилетиям исследований, которые стали эталоном для всей индустрии микроэлектроники. Это еще одно свидетельство лидерства компании IBM в этом секторе рынка».

Сегодня микропроцессоры, изготовленные по 22-нм и 14-нм технологии, используются в серверах, облачных ЦОДах и мобильных устройствах. Кроме того, постепенно осваивается и внедряется производство чипов по нормам 10-нм технопроцесса. IBM удалось достичь увеличения плотности размещения элементов по отношению к самому передовому сегодня 10-нм технологическому процессу почти на 50%. Такой результат получен за счет применения кремний-германиевых материалов для увеличения производительности транзисторов, а также за счет внедрения технологических новшеств для уменьшения шага между элементами до 30-нм и полной интеграции многоуровневой экстремальной ультрафиолетовой литографии. Эти достижения способны привести как минимум к 50% улучшению соотношения производительности к энергопотреблению в следующих поколениях систем, предназначенных для обработки больших данных, облачных и мобильных вычислений.

«Модель развития государственно-частного партнерства губернатора Эндрю Куомо способствует быстрому развитию и внедрению инноваций. Сегодняшний анонс – лишь один из примеров нашего сотрудничества с IBM, которое укрепляет лидирующие позиции штата Нью-Йорк в сфере развития технологий нового поколения, – комментирует доктор Майкл Леир, исполнительный вице-президент по инновациям и технологиям и вице-президент исследовательского отдела Политехнического института при Университете штата Нью-Йорк. – Создание первого 7-нанометрового тестового чипа нового поколения – это большой шаг для всей индустрии полупроводниковой продукции, который позволит нам открыть новые горизонты технологических возможностей».

«Эта новость отмечает наше последнее достижение в долгой истории сотрудничества, направленного на развитие технологий следующего поколения, – говорит Гари Паттон, технический директор и руководитель отдела исследований GLOBALFOUNDRIES. – В рамках совместной программы, проходящей в Центре исследований нанотехнологий в Олбани, мы можем сконцентрироваться на передовых технологиях для наших клиентов и партнеров и помочь им разработать полупроводники нового поколения, которые будут меньше в размере, производительнее и экономически выгоднее в использовании».

Знаковая величина в 7 нм продолжает традицию инноваций IBM в сфере чипов и полупроводников. Среди них – изобретение или первое применение динамической памяти DRAM с произвольным доступом, законов масштабирования Деннарда, фоторезистов с химическим усилением светочувствительности, соединительных медных проводов, технологии “кремний на изоляторе”, технологии по увеличению проводимости электричества через транзистор (strained engineering), многоядерных микропроцессоров, иммерсионной литографии, высокопроизводительных кремний-германиевые чипов, диэлектрики затвора High-k, встроенной памяти DRAM, трехмерных интегральных схем и воздушной изоляции.

IBM и Политехнический институт при Университете штата Нью-Йорк ведут успешное сотрудничество в Центре исследования нанотехнологий в Олбани, в развитие которого были инвестированы миллиарды долларов. Одним из значимых результатов такого сотрудничества стал Центр полупроводниковых исследований и разработок – долгосрочная научно-исследовательская программа стоимостью $500 млн, в которой участвуют мировые лидеры по производству наноэлектроники. Основным направлением деятельности центра является исследование и разработка технологий компьютерных чипов будущего. Центр продолжает предоставлять студентам университета стипендии и гранты, чтобы подготовить следующее поколение ученых, исследователей и инженеров в сфере нанотехнологий.

Более подробную информацию об IBM Research можно получить на сайте: www.research.ibm.com. Более подробную информацию о технологическом институте SUNY можно получить по ссылке: visit www.sunycnse.com и www.sunypoly.edu.

Источник - http://www.nanonewsnet.ru/news/2015/ibm-research-vmeste-s-partnerami-predstavili-pervyi-7-nanometrovyi-testovyi-chip-novogo-po

 
Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта
incest xxx free rarefilm.net