Версия для слабовидящих
Китайский технопарк лидирует в рейтинге патентной активности ЦИС Печать Email
Новости об инновациях
01.07.2015

Китайский аналог Силиконовой долины Z-park занял первое место по абсолютному числу поданных патентных заявок в рейтинге Центра интеллектуальной собственности «Сколково». ЦИС проанализировал патентную активность ведущих мировых университетов и технопарков.

Компании участники проекта «Сколково» показали самое высокое соотношение количества патентных заявок к штату сотрудников, их результат превзошел показатели Массачуссетского технологического университета (MIT), сообщил в интервью ТАСС управляющий партнер ЦИС «Сколково» Антон Пушков.

В рейтинг вошли американские Гарвард и MIT, британский Оксфорд, Национальный университет Сингапура, «Сколково» и Zhongguancun Science Park (Z-park), который иногда называют Силиконовой долиной Китая.

Китайский технопарк – безусловный лидер по абсолютному числу поданных патентных заявок и количеству сотрудников в компаниях, работающих в Z-park. Самый высокий коэффициент патентной активности оказался у компаний участников инновационного центра «Сколково», следует из расчетов ЦИС, который оценивал этот показатель по соотношению числа поданных заявок к количеству сотрудников и студентов университетов или компаний резидентов технопарков.

В компаниях китайского Z-park работают 2,14 млн сотрудников, за прошлый год они подали 43,8 тыс. патентных заявок. Коэффициент патентной активности, рассчитанный для технопарка по формуле ЦИС, составляет 21,7.

В Массачуссетском технологическом университете работают 11,84 тыс. сотрудников и учатся 11,3 тыс. студентов. Они в прошлом году подали 518 патентных заявок. Коэффициент патентной активности МIT – 22,4.

Сотрудники и студенты Гарварда – 21 тыс. – подали за год 246 патентных заявок, обеспечив коэффициент патентной активности 11,7.

Близкий показатель у Национального университета Сингапура – 11,65. На 44,2 тыс. сотрудников и студентов приходится 515 заявок на патенты.

13,6 тыс. сотрудников компаний резидентов «Сколково» обеспечили подачу 317 патентных заявок и лидерство по показателю патентной активности среди включенных в рейтинг научных центров с коэффициентом 23,2.

В Оксфорде работает 12,5 тыс. сотрудников и учатся 22,3 тыс. студентов, на которых за год пришлось 230 заявок. Коэффициент патентной активности Оксфорда по предложенной формуле составляет 6,6. Вероятно, такой низкий показатель связан с тем, что патентование разработок в Оксфорде осуществляется университетским центром коммерциализации при условии дальнейшего продвижения технологий на рынке, полагает руководитель Центра интеллектуальной собственности «Сколково» Антон Пушков, а основные результаты работы ученых находят свое отражение в докладах и публикациях.

Формула расчета коэффициента патентной активности фиксирует количество поданных национальных патентных заявок на каждую тысячу экономически активных (трудоустроенных) сотрудников университетов и технопарков.

В число сотрудников университетов включены студенты, которые на практике активно участвуют в создании патентоспособных результатов интеллектуальной деятельности и по политике ВУЗов права на такие патенты по умолчанию принадлежат университету, пояснил Антон Пушков. Административный и обслуживающий персонал при подсчете коэффициента не исключали, но это незначительная погрешность, добавляет он. «В научных исследованиях участвуют не все сотрудники. Но, как правило, молодые инновационные компании (стартапы) из научных центров и технопарков просто не могут позволить себе содержание большого числа работников, не имеющих непосредственного отношения к их научно-исследовательской деятельности», – приводит ТАСС слова руководителя ЦИС.

Расчеты по всем университетам, за исключением MIT, приведены за академический год, пояснил Пушков.

«Университеты ежегодно отчитываются по академическому, а не календарному году, и нам удалось получить данные за календарный 2014 год только по Массачусетскому технологическому университету», – говорит он.

Другая особенность статистики от MIT заключается в том, что университет не учитывает предварительные заявки – первые чертежи или общее описание будущего патента. Такие заявки должны быть в течение года преобразованы в полноценные, в противном случае они признаются недействительными.

«Мы подаем огромное количество предварительных заявок, поэтому не учитываем их в статистике», – объяснила Грэйс Линдси из Массачуссетского технологического университета.

Подача предварительных заявок – фактически, первоначальных набросков – это практика, распространенная исключительно в юрисдикции США, указывает Антон Пушков.

«В Америке подается большое количество таких заявок, чтобы получить дату приоритета, но большая часть из них не доживает до стадии окончательного оформления. В других странах патентная заявка не может иметь статус предварительной», – сказал глава ЦИС.

Источник - http://www.nanonewsnet.ru/news/2015/kitaiskii-tekhnopark-lidiruet-v-reitinge-patentnoi-aktivnosti-tsis

 
Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта