Версия для слабовидящих
Процесс выращивания полупроводниковых кристаллов поможет соблюсти закон Гордона Мура еще некоторое время Печать Email
Новости об инновациях
19.06.2015

Группа исследователей из компании IBM Research в Цюрихе, Швейцария, при содействии их американских коллег из Нью-Йорка, разработала относительно простой и универсальный процесс, позволяющий выращивать кристаллы из полупроводниковых соединений, имеющие заданные размеры и форму. В процессе и после выращивания эти кристаллы могут быть легко интегрированы на кремниевые подложки, образуя структуру чипов и процессоров следующего поколения, размер и стоимость которых может продолжать снижаться одновременно с увеличением их производительности, как и определено известным законом Гордона Мура.

Напомним нашим читателям, что

закон Гордона Мура, основанный на наблюдениях, произведенных в ранние годы бурного развития электроники и информационных технологий, гласит, что количество транзисторов на чипах интегральных схем должен удваиваться за каждые два года.

Но в последние годы электронная промышленность, основанная на традиционных кремниевых технологиях, начала сталкиваться с некоторыми ограничениями, накладываемыми базовыми законами физики, которые делают невозможным дальнейшее соблюдение закона Мура.

Единственным выходом из складывающейся ситуации является поиск совершенно новых технологий, которые кардинально отличаются от существующих и которые позволят электронике развиваться прежними темпами еще какое-то время.

«Целью всех организаций и предприятий, работающих в области электроники, является обеспечение соблюдения закона Гордона Мура. Но для этого мы нуждаемся в более лучших транзисторах, нежели те, что имеются в нашем распоряжении сегодня. Современные кремниевые транзисторы уже приблизились к переделам физических ограничений и для дальнейшего развития нам требуется нечто совершенно новое» – рассказывает Хайнц Шмид (Heinz Schmid), исследователь из IBM Research.

При помощи нового процесса, разработанного швейцарскими исследователями, им удалось изготовить монокристаллические полупроводниковые наноструктуры, такие, как нанопроводники, кросс-соединения и элементы полупроводниковых приборов. Все эти элементы были изготовлены из сплавов индия, галлия и арсенида, полупроводников III-V группы, которые выступают в роли перспективных материалов для производства высокоскоростных процессоров и других цифровых микросхем.

Единственной проблемой в этом деле является возможность интеграции таких элементов с элементами и подложкой, изготовленными из традиционного кремния. И, следует заметить, предыдущие попытки подобной интеграции были не очень успешны.

Новая технология выращивания полупроводниковых кристаллов основана на процессе шаблонной избирательной эпитаксии (template-assisted selective epitaxy, TASE) в которой используется процесс осаждения органическо-металлических соединений из парообразной фазы. В результате такого процесса на подложке образуется сначала небольшой кристалл полупроводникового материала, который затем «разрастается» в кристалл больших размеров, практически не имеющий дефектов. Выращиваемому кристаллу придается необходимая форма при помощи процесса литографии, использующей окисные шаблоны, заполняемые при помощи эпитаксии. И в результате такого совмещения нескольких технологий кристаллы из полупроводников III-V группы могут выращиваться прямо на кремниевой подложке, формируя нанопроводники и элементы стандартных полупроводниковых приборов.

«Что выделяет нашу работу среди всех других подобных попыток, это то, что выращиваемые полупроводниковые кристаллы не имеют дефектов, вмешивающихся в их функционирование. Кроме этого, разработанный нами процесс полностью совместим с современными технологиями производства полупроводниковых чипов» – рассказывает Хайнц Шмид, – «Теперь, получив в свое распоряжение технологию производства, мы сосредоточимся на изготовлении элементов чипов из кристаллических полупроводников III-V группы и будем добиваться реализации их характеристик, которые должны превзойти характеристики аналогичных кремниевых элементов».

Источник - http://www.nanonewsnet.ru/news/2015/protsess-vyrashchivaniya-poluprovodnikovykh-kristallov-pomozhet-soblyusti-zakon-gordona-mu

 
Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта