Версия для слабовидящих
Новые FeFET-транзисторы смогут обеспечить дальнейшее соблюдение закона Гордона Мура Печать Email
Новости об инновациях
20.01.2015

В последнее время в новостях, касающихся информационных технологий, все чаще и чаще мелькают сообщения о перспективе замены разных типов памяти современных компьютеров одним типом энергонезависимой и быстродействующей памяти, что позволит получить работающий компьютер с загруженной операционной системой и работающими приложениями сразу же после момента его включения. Некоторые исследователи видят в роли такой универсальной памяти резистивную память ReRAM на мемристорах, а исследователи из Техасского университета в Остине считают самым подходящим кандидатом на эту роль память на основе FeFET-транзисторов, сегнетоэлектрических полевых транзисторов, разработка которых ведется ими в настоящее время.

Кроме этого, уже разработанные исследователями элементы FeFET-транзистора указывают на то, что внедрение таких технологий в электронике позволит обеспечить соблюдение закона Гордона Мура еще достаточно долгое время, по крайней мере, до 2028 года включительно.

«Нам еще не удалось изготовить законченный работоспособный FeFET-транзистор (Ferroelectric Field-Effect Transistor). Но мы уже разработали структуру и конструкцию одного из главных его элементов – сегнетоэлектрического затвора этого транзистора» – рассказывает Александр Демков (Alexander Demkov), профессор из Техасского университета, – «Кроме этого, результаты моделирования, проведенного на наших суперкомпьютерах, показали, что такие транзисторы будут работоспособными и будут демонстрировать превосходные электрические характеристики. А сейчас мы занимаемся разработкой технологий, подбором материалов и методов производства, которые будут использованы для изготовления второй части транзистора – полупроводникового канала из германия».

Самой сложной задачей, которую удалось решить исследователям из Техаса, является разработка процесса управляемого осаждения титаната бария (BaTiO3), из которого формируется трехмерная структура затвора FeFET-транзистора. Использование метода молекулярно-лучевой эпитаксии позволило добиться того, что все молекулы этого соединения, которые являются магнитными диполями, были ориентированы в вертикальной плоскости. А проверка созданных трехмерных структур была проведена при помощи метода микроскопии, основанного на измерении микроволнового сопротивления и пьезоэлектрического эффекта.

20150116_3_2.jpg Рис. 1.

Разработка FeFET-транзисторов имеет огромные перспективы из-за того, что эти транзисторы изготавливаются не из кремния, а из «более быстрых» полупроводниковых материалов, германия (Ge) или арсенида галлия (GaAs), осаждаемых на поверхности стандартной кремниевой подложки. Транзисторы из этих материалов работают быстрее кремниевых транзисторов, а структура будущего FeFET-транзистора позволит создать на его основе ячейки энергонезависимой памяти.

«Мы еще не проводили экспериментов с архитектурой памяти на FeFET-транзисторах. Но проделанные нами расчеты показывают, что такая универсальная память будет работать быстрей самой быстрой динамической память DRAM и иметь показатель плотности хранения информации, превышающий аналогичный показатель для Flash-памяти» – рассказывает Александр Демков, – «К сожалению, сейчас у нас нет технологических возможностей для изготовления полупроводниковых каналов FeFET-транзисторов из германия или арсенида галлия. Но мы рассчитываем на то, что в скором времени у нас появится партнер из области промышленного производства полупроводников, который окажет нам необходимую помощь и получит возможность принять участие в коммерциализации разрабатываемых технологий».

Как и любых других транзисторов, у FeFET-транзисторов найдется масса других областей применения, нежели в структуре ячеек универсальной энергонезависимой памяти.

На базе таких транзисторов можно будет создавать новые высокоэффективные фотогальванические элементы для солнечных батарей, устройства хранения информации высокой плотности, энергонезависимые программируемые матрицы логических элементов и многое, многое другое.

Источник - http://www.nanonewsnet.ru/news/2015/novye-fefet-tranzistory-smogut-obespechit-dalneishee-soblyudenie-zakona-gordona-mura

 

Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта Карта сайта